максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

1. puissance dissipée de crête maximale

 

максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
P_{и max}
P_{M max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak power dissipation

DE

• maximal zulässige Impulsverlustleistung

FR

• puissance dissipée de crête maximale

80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung

E. Maximum peak power dissipation

F. Puissance dissipée de crête maximale

^* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.

^** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.

Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа